1997 IEEE International Symposium on Circuits and Systems
Hong-Kong, June 9 to 12, 1997
A Current-Based Model for the MOS Transistor
-
Ana Isabela A. Cunha
Universidade Federal da Bahia - Departamento de Engenharia Elétrica
E-mail: aiac@ufba.br
Oscar C. Gouveia Filho
Universidade Federal do Paraná - Departamento de Engenharia
Elétrica
Caixa Postal 19011 - CEP 81531-970 Curitiba, Paraná, Brasil
E-mail: ogouveia@eletr.ufpr.br
-
Márcio C. Schneider
Universidade Federal de Santa Catarina - Departamento de Engenharia
Elétrica
Caixa Postal 5119 - CEP 88040-970 Florianópolis, Santa Catarina,
Brasil
E-Mail: marcio@eel.ufsc.br
-
Carlos Galup-Montoro
Universidade Federal de Santa Catarina - Departamento de Engenharia
Elétrica
Caixa Postal 5119 - CEP 88040-970 Florianópolis, Santa Catarina,
Brasil
E-Mail: carlos@eel.ufsc.br
Abstract
This paper presents a physics-based model for the MOS transistor, suitable
for circuit design and simulation and valid from weak to strong inversion.
Each static or dynamic characteristic is accurately described by a single-piece
function of two saturation currents.